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聚焦離子束電鏡測試將高能離子束用于材料微納加工(刻蝕、沉積、切割)與SEM成像結(jié)合，可實現(xiàn)截面制備、透射電鏡(TEM)薄片加工、電路修補與三維重構(gòu)。但在加工過程中易出現(xiàn)多種缺陷，影響樣品質(zhì)量與分析準確性，必須針對性優(yōu)化。一、常見加工缺陷?溝槽側(cè)壁傾斜與波紋?離子束入射角與束流分布不均，或樣品表面不平整，會導致刻蝕溝槽側(cè)壁呈斜坡或出現(xiàn)周期性波紋，影響截面平直度。表面損傷層與再沉積?高能離子轟擊產(chǎn)生晶格損傷、非晶化或雜質(zhì)注入；刻蝕產(chǎn)生的碎屑可能再沉積在側(cè)壁或底部，遮蔽結(jié)構(gòu)細節(jié)。熱...

SEM掃描電鏡檢測因其高分辨率、大景深和直觀的微觀形貌呈現(xiàn)能力，成為材料、生物、地質(zhì)等領(lǐng)域關(guān)鍵的分析工具。但對于初學者而言，從送樣到獲取可靠圖像，每一步都需嚴謹對待。本文簡要梳理SEM檢測全流程關(guān)鍵要點。第一步：樣品制備——成敗在此一舉。導電性良好的金屬樣品可直接觀察；但非導電樣品(如陶瓷、塑料、生物組織)必須進行表面導電處理，常用方法包括噴金(Au/Pd)、噴碳或使用低真空模式。若忽略此步，將出現(xiàn)嚴重“荷電效應(yīng)”——圖像漂移、條紋或亮度異常。此外，樣品需牢固固定于樣品臺，避...

ZEISS場發(fā)射掃描電鏡是材料科學、納米技術(shù)、半導體分析等領(lǐng)域觀測微納結(jié)構(gòu)(如原子排列、納米顆粒形貌)的核心工具。ZEISS場發(fā)射掃描電鏡以高分辨率、高穩(wěn)定性和智能操作著稱。但面對復雜的技術(shù)參數(shù)，選購時掌握以下4點原則，可輕松匹配需求。一、分辨率：分辨率是衡量電鏡成像清晰度的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響能否觀察到納米級細節(jié)(如單個原子的排列、納米線的截面結(jié)構(gòu))。ZEISS場發(fā)射電鏡的分辨率通常分為“點分辨率”(理論較小可分辨兩點間距)和“實際成像分辨率”(實際樣品成像的清晰度)。對于常...

國產(chǎn)環(huán)境箱是材料性能測試、產(chǎn)品可靠性驗證的核心設(shè)備，其測量精度(如溫度偏差≤±0.5℃、濕度偏差≤±2%RH)直接影響測試數(shù)據(jù)的可靠性。對于專業(yè)用戶而言，掌握幾大操作秘籍，能有效提升環(huán)境箱的測量精度，讓設(shè)備發(fā)揮更大價值。一、校準先行：環(huán)境箱的傳感器(溫度、濕度、壓力等)會隨時間漂移或受環(huán)境影響產(chǎn)生誤差。專家建議每3-6個月使用標準計量設(shè)備(如鉑電阻溫度計、精密露點儀)對箱內(nèi)參數(shù)進行校準，校準點需覆蓋常用測試范圍(如溫度-40℃至85℃、濕度30%R...

LONGPEAK靜電放電發(fā)生器是模擬靜電放電場景、考核電子電氣產(chǎn)品抗靜電性能的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛用于家電、汽車電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的EMC測試。操作中若存在誤區(qū)，易導致測試數(shù)據(jù)失真、設(shè)備損壞，甚至引發(fā)安全隱患。以下梳理4類常見誤區(qū)及對應(yīng)避免方法。?一、誤區(qū)一：忽視放電槍校準，直接開展測試?部分用戶認為“新設(shè)備無需校準”，或長期不校準放電槍，直接用其進行測試。LONGPEAK靜電放電發(fā)生器的放電槍電極易因磨損、污染導致放電電流偏差，若不校準，可能將合格產(chǎn)品誤判為不合格，或遺漏真實抗...

掃描電鏡測試數(shù)據(jù)蘊含著豐富的微觀結(jié)構(gòu)信息，對其進行定量分析在科研領(lǐng)域有著至關(guān)重要的意義。在定量分析方面，首先是對圖像中特征尺寸的測量。通過專業(yè)的圖像分析軟件，可以精準地量取材料微觀結(jié)構(gòu)的粒徑大小、孔隙直徑等關(guān)鍵尺寸參數(shù)。例如在納米材料研究中，準確知曉納米顆粒的直徑分布范圍，能為評估其性能及進一步改進制備工藝提供依據(jù)。同時，對于晶界、相界等界面的距離測量也很重要，有助于了解材料的結(jié)晶特性以及不同相之間的相互作用情況。另外，對元素成分的定量分析也是重要一環(huán)。結(jié)合能譜儀等附件所獲取...